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IPD65R600E6BTMA1

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IPD65R600E6BTMA1

Apenas para referência

Nº de peças IPD65R600E6BTMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Ficha técnica

IPD65R600E6BTMA1 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 7.552 piece(s)
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Especificações do IPD65R600E6BTMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C7.3A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 210µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds440pF @ 100V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 2.1A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD65R600E6BTMA1 folha de dados

IPD65R600E6BTMA1 Packaging

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Packing
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IPD65R600E6BTMA1 FAQ

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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# SP000800216

Infineon Technologies AG

(Alt: SP000800216)

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# IPD65R600E6BTMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD65R600E6BTMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2900
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD65R600E6

D# 726-IPD65R600E6

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS E6

RoHS: Compliant
3
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD65R600E6BTMA1

D# 8235591

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 7.3 A, 700 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD65R600E6BTMA1, PK

Min Qty: 5
Container: Package
2005
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD65R600E6BTMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

2595

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