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IPD64CN10N G

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Apenas para referência

Nº de peças IPD64CN10N G
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
Ficha técnica

IPD64CN10N G Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Especificações do IPD64CN10N G

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds569pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs64 mOhm @ 17A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD64CN10N G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD64CN10N G is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD64CN10N G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD64CN10N G?
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