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IPD30N06S4L23ATMA1

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IPD30N06S4L23ATMA1

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Nº de peças IPD30N06S4L23ATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Ficha técnica

IPD30N06S4L23ATMA1 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 6.176 piece(s)
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Especificações do IPD30N06S4L23ATMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1560pF @ 25V
Vgs (máx.)±16V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD30N06S4L23ATMA1 folha de dados

IPD30N06S4L23ATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPD30N06S4L23ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD30N06S4L23ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD30N06S4L23ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Rochester Electronics LLC

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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Infineon Technologies AG

IPD30N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant
409

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