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IPD12CN10NGBUMA1

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Nº de peças IPD12CN10NGBUMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Ficha técnica

IPD12CN10NGBUMA1 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 3.456 piece(s)
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Especificações do IPD12CN10NGBUMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C67A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 83µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4320pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.4 mOhm @ 67A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD12CN10NGBUMA1 folha de dados

IPD12CN10NGBUMA1 Packaging

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