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IPD096N08N3GBTMA1

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Apenas para referência

Nº de peças IPD096N08N3GBTMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Ficha técnica

IPD096N08N3GBTMA1 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 2.896 piece(s)
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Especificações do IPD096N08N3GBTMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C73A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 46µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2410pF @ 40V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.6 mOhm @ 46A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD096N08N3GBTMA1 folha de dados

IPD096N08N3GBTMA1 Packaging

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Packing
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IPD096N08N3GBTMA1 FAQ

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Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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Infineon Technologies AG

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