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IPD082N10N3GATMA1

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Apenas para referência

Nº de peças IPD082N10N3GATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Ficha técnica

IPD082N10N3GATMA1 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 26.940 piece(s)
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Especificações do IPD082N10N3GATMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 75µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds3980pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2 mOhm @ 73A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD082N10N3GATMA1 folha de dados

IPD082N10N3GATMA1 Packaging

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Packing
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IPD082N10N3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD082N10N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD082N10N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

D# V72:2272_06384005

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

D# IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD082N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

D# IPD082N10N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

298
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

D# 2709872

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
3262
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 8.2 mOhm 42 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

23200
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

D# XSKDRABV0052437

Infineon Technologies AG

20000
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

D# 12AC9706

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, 175DEG C, 125W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:80A, On Resistance Rds(on):0.007ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
278
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

56
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

D# 34386453

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD082N10N3GATMA1

D# 2709872

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
25

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