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IPD038N04NGBTMA1

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Nº de peças IPD038N04NGBTMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Ficha técnica

IPD038N04NGBTMA1 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 6.768 piece(s)
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Especificações do IPD038N04NGBTMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 45µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 20V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 mOhm @ 90A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD038N04NGBTMA1 folha de dados

IPD038N04NGBTMA1 Packaging

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Packing
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IPD038N04NGBTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD038N04NGBTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD038N04NGBTMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD038N04NGBTMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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