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IPD031N03M G

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Nº de peças IPD031N03M G
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Ficha técnica

IPD031N03M G Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 3.376 piece(s)
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Especificações do IPD031N03M G

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs51nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds5300pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD031N03M G Packaging

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Sealing
Packing
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IPD031N03M G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD031N03M G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD031N03M G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD031N03M G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD031N03M G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD031N03M G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD031N03M G?
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