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IPC045N10L3X1SA1

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Nº de peças IPC045N10L3X1SA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
Ficha técnica

IPC045N10L3X1SA1 Ficha técnica

pacote Die
ECAD
Em estoque 2.768 piece(s)
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Especificações do IPC045N10L3X1SA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteDie
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C1A (Tj)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 33µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)-
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2A, 4.5V
Temperatura de operação-
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorSawn on foil
Pacote / casoDie

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IPC045N10L3X1SA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IPC045N10L3X1SA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPC045N10L3X1SA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPC045N10L3X1SA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPC045N10L3X1SA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPC045N10L3X1SA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# V36:1790_09156937

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V Automotive 3-Pin Chip Wafer

RoHS: Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# IPC045N10L3X1SA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V DIE Wafer - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film (Alt: IPC045N10L3X1SA1)

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