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IPB80N06S3L-06

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Apenas para referência

Nº de peças IPB80N06S3L-06
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
Ficha técnica

IPB80N06S3L-06 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 7.056 piece(s)
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Especificações do IPB80N06S3L-06

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs196nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds9417pF @ 25V
Vgs (máx.)±16V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6 mOhm @ 56A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-3-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S3L-06 folha de dados

IPB80N06S3L-06 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB80N06S3L-06 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPB80N06S3L-06 price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

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D# IPB80N06S3L-06INTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

0
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5800
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D# NS-IPB80N06S3L-06

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