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IPB80N04S3H4ATMA1

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IPB80N04S3H4ATMA1

Apenas para referência

Nº de peças IPB80N04S3H4ATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Ficha técnica

IPB80N04S3H4ATMA1 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 7.664 piece(s)
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Especificações do IPB80N04S3H4ATMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 65µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds3900pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-3-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N04S3H4ATMA1 folha de dados

IPB80N04S3H4ATMA1 Packaging

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Packing
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IPB80N04S3H4ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB80N04S3H4ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB80N04S3H4ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB80N04S3H4ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB80N04S3H4ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB80N04S3H4ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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Rochester Electronics LLC

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