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IPB79CN10N G

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IPB79CN10N G

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Nº de peças IPB79CN10N G
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
Ficha técnica

IPB79CN10N G Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 390.000 piece(s)
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Especificações do IPB79CN10N G

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 12µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds716pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs79 mOhm @ 13A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IPB79CN10N G Packaging

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Sealing
Packing
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IPB79CN10N G FAQ

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  • 3. Are the IPB79CN10N G price and inventory displayed accurate?
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