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IPB35N10S3L26ATMA1

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IPB35N10S3L26ATMA1

Apenas para referência

Nº de peças IPB35N10S3L26ATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH TO263-3
Ficha técnica

IPB35N10S3L26ATMA1 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 3.536 piece(s)
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Especificações do IPB35N10S3L26ATMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 39µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs39nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2700pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26.3 mOhm @ 35A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-3-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB35N10S3L26ATMA1 folha de dados

IPB35N10S3L26ATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPB35N10S3L26ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB35N10S3L26ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB35N10S3L26ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB35N10S3L26ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB35N10S3L26ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB35N10S3L26ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB35N10S3L26ATMA1

D# E02:0323_02823361

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB35N10S3L26ATMA1

D# IPB35N10S3L26ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB35N10S3L26ATMA1)

RoHS: Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB35N10S3L26ATMA1

D# 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB35N10S3L26ATMA1

D# 2781070

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
812
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB35N10S3L26ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3480
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# 726-IPB35N10S3L26ATM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

RoHS: Compliant
1183
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB35N10S3L26ATMA1

D# 34AC1657

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:35A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0203ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
520
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB35N10S3L26ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

937
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# 19735355

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB35N10S3L26ATMA1

D# 2781070

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
803

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