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IPB34CN10NGATMA1

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IPB34CN10NGATMA1

Apenas para referência

Nº de peças IPB34CN10NGATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
Ficha técnica

IPB34CN10NGATMA1 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 4.976 piece(s)
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Especificações do IPB34CN10NGATMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C27A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 29µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1570pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 27A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB34CN10NGATMA1 folha de dados

IPB34CN10NGATMA1 Packaging

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Packing
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    (1)Inform us within 90 days
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MOSFET N-CH 100V 27A D2PAK

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