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IPB230N06L3GATMA1

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IPB230N06L3GATMA1

Apenas para referência

Nº de peças IPB230N06L3GATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
Ficha técnica

IPB230N06L3GATMA1 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 5.728 piece(s)
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Especificações do IPB230N06L3GATMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 11µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 30V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB230N06L3GATMA1 folha de dados

IPB230N06L3GATMA1 Packaging

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Packing
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MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2320
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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