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IPB147N03LGATMA1

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IPB147N03LGATMA1

Apenas para referência

Nº de peças IPB147N03LGATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
Ficha técnica

IPB147N03LGATMA1 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 4.128 piece(s)
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Especificações do IPB147N03LGATMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.7 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB147N03LGATMA1 folha de dados

IPB147N03LGATMA1 Packaging

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D# IPB147N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

N-KANAL POWER MOS - Bulk (Alt: IPB147N03LGATMA1)

RoHS: Compliant
0
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D# 2156-IPB147N03LGATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK

18000
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Rochester Electronics LLC

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20880
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Infineon Technologies AG

OptlMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
18000

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