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IPB114N03L G

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IPB114N03L G

Apenas para referência

Nº de peças IPB114N03L G
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
Ficha técnica

IPB114N03L G Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 156.000 piece(s)
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Especificações do IPB114N03L G

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB114N03L G folha de dados

IPB114N03L G Packaging

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Packing
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IPB114N03L G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB114N03L G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB114N03L G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB114N03L G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB114N03L G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263

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