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IPB100N06S3L-04

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IPB100N06S3L-04

Apenas para referência

Nº de peças IPB100N06S3L-04
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
Ficha técnica

IPB100N06S3L-04 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 106.104 piece(s)
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Especificações do IPB100N06S3L-04

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs362nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds17270pF @ 25V
Vgs (máx.)±16V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-3-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB100N06S3L-04 folha de dados

IPB100N06S3L-04 Packaging

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Sealing
Packing
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IPB100N06S3L-04 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB100N06S3L-04. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB100N06S3L-04 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB100N06S3L-04 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB100N06S3L-04 price and inventory displayed accurate?
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