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IPB027N10N3GATMA1

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IPB027N10N3GATMA1

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Nº de peças IPB027N10N3GATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Ficha técnica

IPB027N10N3GATMA1 Ficha técnica
pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 45.006 piece(s)
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Especificações do IPB027N10N3GATMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 275µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs206nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds14800pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB027N10N3GATMA1 folha de dados

IPB027N10N3GATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IPB027N10N3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB027N10N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB027N10N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB027N10N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB027N10N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB027N10N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB027N10N3GATMA1.
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# V72:2272_06377077

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3GATMA1

D# IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB027N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant
 0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# SP000506508

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000506508)

RoHS: Compliant
 0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3GATMA1

D# C1S322000194070

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1017
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3GATMA1

D# IPB027N10N3GATMA1CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

 32
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3GATMA1

D# 2443379

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 206 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
 0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 30735
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3 G

D# 726-IPB027N10N3G

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 1335

IPB027N10N3GATMA1

D# 726-IPB027N10N3GATMA

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 798
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3GATMA1

D# XSKDRABV0054873

 Infineon Technologies AG

9000
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3GATMA1.

D# 27AC6718

 Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.7V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: TAPE & REEL - FULL
 0

IPB027N10N3GATMA1

D# 85X6013

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB027N10N3GATMA1

D# 8259235P

 Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB027N10N3GATMA1, RL

Min Qty: 2
Container: Reel
 936
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IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 26512
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 Infineon Technologies AG

shipping today

 39
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D# 44558404

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Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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IPB027N10N3GATMA1

D# 2443379

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MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3

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