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IPB022N04LGATMA1

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IPB022N04LGATMA1

Apenas para referência

Nº de peças IPB022N04LGATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
Ficha técnica

IPB022N04LGATMA1 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 2.656 piece(s)
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Especificações do IPB022N04LGATMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 95µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs166nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds13000pF @ 20V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2 mOhm @ 90A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB022N04LGATMA1 folha de dados

IPB022N04LGATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPB022N04LGATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB022N04LGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB022N04LGATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB022N04LGATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB022N04LGATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB022N04LGATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IPB022N04LGATMA1?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB022N04LGATMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# IPB022N04LGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB022N04LGATMA1)

RoHS: Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB022N04LGATMA1

D# 2156-IPB022N04LGATMA1-ITTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB022N04LGATMA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3480
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB022N04LGATMA1

Infineon Technologies AG

OptlMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
3000
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPB022N04LGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

1016

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