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HUFA76639P3

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Nº de peças HUFA76639P3
Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
Ficha técnica

HUFA76639P3 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
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Especificações do HUFA76639P3

FabricanteFairchild/ON Semiconductor
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C51A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs86nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 25V
Vgs (máx.)±16V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 51A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220AB
Pacote / casoTO-220-3

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Sealing
Packing
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HUFA76639P3 FAQ

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N/A 51 A, 100 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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51A, 100V, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

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