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GP1M018A020HG

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Apenas para referência

Nº de peças GP1M018A020HG
Fabricante Global Power Technologies Group
Descrição MOSFET N-CH 200V 18A TO220
Ficha técnica

GP1M018A020HG Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 6.544 piece(s)
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Especificações do GP1M018A020HG

FabricanteGlobal Power Technologies Group
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
Series-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 25V
Vgs (máx.)±30V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs170 mOhm @ 9A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220
Pacote / casoTO-220-3

GP1M018A020HG folha de dados

GP1M018A020HG Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GP1M018A020HG FAQ

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  • 3. Are the GP1M018A020HG price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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