Name: GP1M016A060N
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP1M016A060N
Availability: InStock
Rating: 5 (126 reviews)

GP1M016A060N

Apenas para referência

Nº de peças	GP1M016A060N
Fabricante	Global Power Technologies Group
Descrição	MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
Ficha técnica	GP1M016A060N Ficha técnica
pacote	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Em estoque	6.400 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	A ser confirmado
Tempo de entrega estimado	mai 22 - mai 27 (Escolha o envio acelerado)
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Especificações do GP1M016A060N

Fabricante	Global Power Technologies Group
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Series	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3039pF @ 25V
Vgs (máx.)	±30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	470 mOhm @ 8A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-3PN
Pacote / caso	TO-3P-3, SC-65-3

GP1M016A060N folha de dados

GP1M016A060N Packaging

GP1M016A060N FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the GP1M016A060N we delivered, we will accept the replacement or return of the GP1M016A060N only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of GP1M016A060N.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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