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GP1M003A050HG

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Apenas para referência

Nº de peças GP1M003A050HG
Fabricante Global Power Technologies Group
Descrição MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
Ficha técnica

GP1M003A050HG Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 3.984 piece(s)
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Especificações do GP1M003A050HG

FabricanteGlobal Power Technologies Group
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
Series-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2.5A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds395pF @ 25V
Vgs (máx.)±30V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220
Pacote / casoTO-220-3

GP1M003A050HG folha de dados

GP1M003A050HG Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GP1M003A050HG FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that GP1M003A050HG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the GP1M003A050HG price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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