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GA03JT12-247

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Apenas para referência

Nº de peças GA03JT12-247
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Descrição TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
Ficha técnica
pacote TO-247-3
ECAD
Em estoque 7.620 piece(s)
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Especificações do GA03JT12-247

FabricanteGeneSiC Semiconductor
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-247-3
ECAD
Series-
Tipo FET-
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C3A (Tc) (95°C)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)-
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs460 mOhm @ 3A
Temperatura de operação175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-247AB
Pacote / casoTO-247-3

GA03JT12-247 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GA03JT12-247 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA03JT12-247. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA03JT12-247 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA03JT12-247 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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281
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D# 1242-1164-ND

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GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor1200V470m? TO-247-3

RoHS: Compliant
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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor1200V470m? TO-247-3

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# NS-GA03JT12-247

GeneSiC Semiconductor

OEM/CM ONLY

5722
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GeneSic Semiconductor Inc

RoHS: Compliant
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