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FQD5N60CTM_WS

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FQD5N60CTM_WS

Apenas para referência

Nº de peças FQD5N60CTM_WS
Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 600V 2.8A
Ficha técnica

FQD5N60CTM_WS Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 6.016 piece(s)
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Especificações do FQD5N60CTM_WS

FabricanteFairchild/ON Semiconductor
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2.8A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds670pF @ 25V
Vgs (máx.)±30V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2.5W (Ta), 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorD-Pak
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET N-CH 600V 2.8A

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D# FQD5N60CTM-WSTR-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

0
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2500
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ON Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

11500
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

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