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FQA6N80_F109

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Apenas para referência

Nº de peças FQA6N80_F109
Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Ficha técnica

FQA6N80_F109 Ficha técnica

pacote TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Em estoque 7.200 piece(s)
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Especificações do FQA6N80_F109

FabricanteFairchild/ON Semiconductor
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SeriesQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C6.3A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
Vgs (máx.)±30V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)185W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.95 Ohm @ 3.15A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-3PN
Pacote / casoTO-3P-3, SC-65-3

FQA6N80_F109 folha de dados

FQA6N80_F109 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P

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Fairchild Semiconductor Corporation

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