Name: FDS8333C
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FDS8333C
Availability: InStock
Rating: 5 (89 reviews)

FDS8333C

Apenas para referência

Nº de peças	FDS8333C
Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrição	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Ficha técnica	FDS8333C Ficha técnica
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque	237.612 piece(s)
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Tempo de entrega	Pode ser enviado imediatamente
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Especificações do FDS8333C

Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Series	PowerTrench?
Tipo FET	N and P-Channel
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.1A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	282pF @ 10V
Potência - Max	900mW
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO

FDS8333C folha de dados

FDS8333C Packaging

FDS8333C FAQ

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2. How does Heisener guarantee that FDS8333C is from the original manufacturer or authorized agents?

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the FDS8333C we delivered, we will accept the replacement or return of the FDS8333C only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R

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FAIR

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.1A I(D), 30V, 0.08OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

112

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