Name: FDB8878
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FDB8878
Availability: InStock
Rating: 5 (115 reviews)

FDB8878

Apenas para referência

Nº de peças	FDB8878
Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrição	MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Ficha técnica	FDB8878 Ficha técnica
pacote	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque	60.312 piece(s)
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Tempo de entrega	Pode ser enviado imediatamente
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Especificações do FDB8878

Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Series	PowerTrench?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	48A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1235pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	47.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 40A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK (TO-263AB)
Pacote / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB8878 folha de dados

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FDB8878 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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FDB8878

Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 48 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

4846

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FDB8878

D# 2156-FDB8878-FSTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 48A TO263

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FDB8878

VBsemi Electronics Co Ltd

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FDB8878

Rochester Electronics LLC

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