Name: FCB11N60FTM
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FCB11N60FTM
Availability: InStock
Rating: 5 (137 reviews)

FCB11N60FTM

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Nº de peças	FCB11N60FTM
Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrição	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Ficha técnica	FCB11N60FTM Ficha técnica
pacote	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque	62.400 piece(s)
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Especificações do FCB11N60FTM

Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Series	SuperFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1490pF @ 25V
Vgs (máx.)	±30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK (TO-263AB)
Pacote / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FCB11N60FTM FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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