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E3M0040120J2-TR

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Apenas para referência

Nº de peças E3M0040120J2-TR
Fabricante Wolfspeed, Inc.
Descrição 40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Ficha técnica
pacote -
ECAD
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Especificações do E3M0040120J2-TR

FabricanteWolfspeed, Inc.
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote-
ECAD
SeriesE
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C63A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)15V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 8.77mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 15 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2726 pF @ 1000 V
Vgs (máx.)+19V, -8V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 31.9A, 15V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-263-7
Pacote / casoTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

E3M0040120J2-TR Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that E3M0040120J2-TR is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of E3M0040120J2-TR.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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