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BUK956R1-100E,127

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BUK956R1-100E,127

Apenas para referência

Nº de peças BUK956R1-100E,127
Fabricante NXP
Descrição MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Ficha técnica
pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 4.096 piece(s)
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Especificações do BUK956R1-100E,127

FabricanteNXP
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs133nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds17460pF @ 25V
Vgs (máx.)±10V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220AB
Pacote / casoTO-220-3

BUK956R1-100E,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

1035
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

BUK956R1100E127

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1190
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

455
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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NXP Semiconductors

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