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BTS115ANKSA1

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Nº de peças BTS115ANKSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
Ficha técnica

BTS115ANKSA1 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 6.720 piece(s)
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Especificações do BTS115ANKSA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesTEMPFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C15.5A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds735pF @ 25V
Vgs (máx.)±10V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 7.8A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorP-TO220AB
Pacote / casoTO-220-3

BTS115ANKSA1 folha de dados

BTS115ANKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BTS115ANKSA1 FAQ

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D# BTS115ANKSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 50V 15.5A 3-Pin TO-220AB Tube - Bulk (Alt: BTS115ANKSA1)

RoHS: Not Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# 2156-BTS115ANKSA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB

12000
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 15.5A, 50V, 0.12ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Not Compliant
12000

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