Name: BSP318S E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP318S-E6327
Availability: InStock
Rating: 5 (181 reviews)

BSP318S E6327

Apenas para referência

Nº de peças	BSP318S E6327
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
Ficha técnica	BSP318S E6327 Ficha técnica
pacote	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Em estoque	140.400 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	Pode ser enviado imediatamente
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Especificações do BSP318S E6327

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Series	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT223-4
Pacote / caso	TO-261-4, TO-261AA

BSP318S E6327 folha de dados

BSP318S E6327 Packaging

BSP318S E6327 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSP318S E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSP318S E6327 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSP318S E6327 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSP318S E6327 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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VE-243-CW-F3	Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W, Full Brick, SIPMOS?	Visão

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2000

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MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223

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BSP318SE6327

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Not Compliant

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BSP318S E6327

D# BSP318SE6327-ND

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MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

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