Name: BSP318S E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP318S-E6327
Availability: InStock
Rating: 5 (181 reviews)

BSP318S E6327

Apenas para referência

Nº de peças	BSP318S E6327
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
Ficha técnica	BSP318S E6327 Ficha técnica
pacote	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Em estoque	140.400 piece(s)
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Especificações do BSP318S E6327

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Series	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT223-4
Pacote / caso	TO-261-4, TO-261AA

BSP318S E6327 folha de dados

BSP318S E6327 Packaging

BSP318S E6327 FAQ

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3. Are the BSP318S E6327 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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VE-243-CW-F3	Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W, Full Brick, SIPMOS?	Visão

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2000

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MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223

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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Not Compliant

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BSP318S E6327

D# BSP318SE6327-ND

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MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

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