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BSP295E6327T

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Apenas para referência

Nº de peças BSP295E6327T
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
Ficha técnica

BSP295E6327T Ficha técnica

pacote TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Em estoque 4.752 piece(s)
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Especificações do BSP295E6327T

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SeriesSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C1.8A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds368pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 1.8A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-SOT223-4
Pacote / casoTO-261-4, TO-261AA

BSP295E6327T folha de dados

BSP295E6327T Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BSP295E6327T FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSP295E6327T. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSP295E6327T on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSP295E6327T products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# BSP295XTINTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4

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D# NS-BSP295E6327T

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