* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Nº de peças | BSC882N03LSGATMA1 |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET N-CH TDSON-8 |
| Ficha técnica | |
| pacote | - |
| ECAD |
|
| Em estoque | 47.214 piece(s) |
| Preço unitário | Request a Quote |
| Tempo de entrega | A ser confirmado |
| Tempo de entrega estimado | nov 24 - nov 29 (Escolha o envio acelerado) |
| Solicite uma cotação |
|
| Métodos de Pagamento | |
| Serviço de entrega |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples |
| pacote | - |
| ECAD |
|
| Series | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 34V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A |
| Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 15V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| Pacote / caso | - |
|
CWR11HH106KB | KEMET, CAP TANT 10UF 10% 15V 2312, 2312 (6032 Metric), - | Visão |
|
1812Y0160101GCT | Knowles Syfer, CAP CER 100PF 16V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), - | Visão |
|
600L4R3AW200T | American Technical Ceramics, CAP CER 4.3PF 200V NP0 0402, 0402 (1005 Metric), - | Visão |
|
CGS173U050R3C | Cornell Dubilier Electronics (CDE), CAP ALUM 17000UF 50V SCREW, Radial, Can - Screw Terminals, - | Visão |
|
|
SI32260-C-GM2 | Silicon Labs, IC PROSLIC FXS DC-DC CTLR 47LGA, 60-WFQFN Exposed Pad, - | Visão |
|
ISL3177EIUZ | Intersil, IC TXRX RS422/485 20MBPS 8MSOP, 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), - | Visão |
|
ADS5287IRGCT | Texas Instruments, IC ADC 10BIT 65MSPS OCTAL 64VQFN, 64-VFQFN Exposed Pad, - | Visão |
|
|
2210-S221-P1M3-H0-12A | E-T-A, CIR BRKR 12A 480VAC 65VDC, -, - | Visão |
|
CPR05R1500JE14 | Vishay Dale, RES 0.15 OHM 5W 5% RADIAL, Radial, - | Visão |
|
|
430503-16-0 | Curtis Industries, CONN BARRIER STRP 16CIRC 0.438", -, - | Visão |
|
|
463-10-252-00-001101 | Preci-Dip, HEADER SLOTTED WIRE WRAP 2.54MM, -, - | Visão |
|
|
3-87961-7 | TE Connectivity AMP Connectors, 76 MODII HORZ DR CE 100CL/115, -, - | Visão |
Nós garantimos 100% de satisfação do cliente.
Nossa experiente equipe de vendas e suporte técnico apoiam nossos serviços para satisfazer todos os nossos clientes.
Nós fornecemos 90 dias de garantia.
Se os itens que você recebeu não fossem de perfeita qualidade, seríamos responsáveis pelo seu reembolso ou substituição, mas os itens devem ser devolvidos em sua condição original.
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 D# V36:1790_06384706 |
Infineon Technologies AG |
OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET |
0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 D# BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 34V 100A 8-Pin TDSON - Bulk (Alt: BSC882N03LSGATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 D# 2156-BSC882N03LSGATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 34V TDSON-8-1 |
5000 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 D# 2781055 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
5000 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
LV POWER MOS RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
|
0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5750 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LS G D# 726-BSC882N03LSG |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8 RoHS: Compliant
|
4998 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 D# 68AC4409 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:34V, On Resistance Rds(on):4.2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power Dissipation Pd:-, Transistor Case Style:-, No. of RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
5000 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
5000 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5095 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 D# 53364235 |
Infineon Technologies AG |
OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET |
0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
BSC882N03LSGATMA1 D# 2781055 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
5000 |
O compromisso da Heisener com a qualidade moldou nossos processos de fornecimento, teste, expedição e cada passo intermediário. Essa base é subjacente a cada componente que vendemos.
Você tem alguma pergunta sobre BSC882N03LSGATMA1?
+86-755-83210559 ext. 807
Digitalize para ver esta página
