Name: BSB017N03LX3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB017N03LX3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (69 reviews)

BSB017N03LX3 G

Apenas para referência

Nº de peças	BSB017N03LX3 G
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
Ficha técnica	BSB017N03LX3 G Ficha técnica
pacote	3-WDSON
ECAD
Em estoque	6.384 piece(s)
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Especificações do BSB017N03LX3 G

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	3-WDSON
ECAD
Series	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	32A (Ta), 147A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	102nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7800pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	MG-WDSON-2, CanPAK M?
Pacote / caso	3-WDSON

BSB017N03LX3 G folha de dados

BSB017N03LX3 G Packaging

BSB017N03LX3 G FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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