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BSB012N03LX3 G

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Apenas para referência

Nº de peças BSB012N03LX3 G
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Ficha técnica

BSB012N03LX3 G Ficha técnica

pacote 3-WDSON
ECAD
Em estoque 3.520 piece(s)
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Especificações do BSB012N03LX3 G

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote3-WDSON
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C39A (Ta), 180A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs169nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds16900pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorMG-WDSON-2, CanPAK M?
Pacote / caso3-WDSON

BSB012N03LX3 G folha de dados

BSB012N03LX3 G Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BSB012N03LX3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSB012N03LX3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSB012N03LX3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSB012N03LX3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSB012N03LX3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSB012N03LX3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of BSB012N03LX3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSB012N03LX3 G?
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    (1)Inform us within 90 days
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BSB012N03LX3GXUMA1

D# BSB012N03LX3GXUMA1

Infineon Technologies AG

- Bulk (Alt: BSB012N03LX3GXUMA1)

RoHS: Compliant
0

BSB012N03LX3G

D# BSB012N03LX3G

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON - Bulk (Alt: BSB012N03LX3G)

RoHS: Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

BSB012N03LX3GXUMA1

D# SP000597846

Infineon Technologies AG

(Alt: SP000597846)

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

BSB012N03LX3 G

Infineon Technologies AG

N-CH 30V 180A 1.2mOhm CanPAK RoHSconf

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

BSB012N03LX3 G

D# BSB012N03LX3GTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON

0

BSB012N03LX3GXUMA1

D# 2156-BSB012N03LX3GXUMA1-ND

Rochester Electronics LLC

N-CHANNEL POWER MOSFET

5000

BSB012N03LX3G

D# 2156-BSB012N03LX3G-ND

Rochester Electronics LLC

N-CHANNEL POWER MOSFET

6282
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Intersil Corporation

In stock shipping within 2days

400
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

BSB012N03LX3GXUMA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5750

BSB012N03LX3G

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

7751
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

BSB012N03LX3G

Intersil Corporation

OEM/CM Immediate delivery

400
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

BSB012N03LX3 G

D# NS-BSB012N03LX3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

10041
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

BSB012N03LX3GXUMA1

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 39A, 30V, 0.0012ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
5000

BSB012N03LX3G

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 39A, 30V, 0.0012ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
6282
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

BSB012N03LX3G

Intersil Corporation

IN stock Immediate delivery

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