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APTM120DDA57T3G

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APTM120DDA57T3G

Apenas para referência

Nº de peças APTM120DDA57T3G
Fabricante Microsemi Corporation
Descrição MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Ficha técnica

APTM120DDA57T3G Ficha técnica

pacote SP3
ECAD
Em estoque 3.840 piece(s)
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Especificações do APTM120DDA57T3G

FabricanteMicrosemi Corporation
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacoteSP3
ECAD
Series-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETStandard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs187nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds5155pF @ 25V
Potência - Max390W
Temperatura de operação-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote / casoSP3
Pacote de Dispositivo do FornecedorSP3

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APTM120DDA57T3G Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

APTM120DDA57T3G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that APTM120DDA57T3G is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Microsemi Corporation

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