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APTGV15H120T3G

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APTGV15H120T3G

Apenas para referência

Nº de peças APTGV15H120T3G
Fabricante Microsemi Corporation
Descrição IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Ficha técnica

APTGV15H120T3G Ficha técnica

pacote SP3
ECAD
Em estoque 3.072 piece(s)
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Especificações do APTGV15H120T3G

FabricanteMicrosemi Corporation
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - IGBT - Módulos
pacoteSP3
ECAD
Series-
Tipo IGBTNPT, Trench Field Stop
ConfiguraçãoFull Bridge Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)25A
Potência - Max115W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A
Corrente - corte de coletor (máx.)250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce1.1nF @ 25V
EntradaStandard
Termistor NTCYes
Temperatura de operação-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote / casoSP3
Pacote de Dispositivo do FornecedorSP3

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APTGV15H120T3G Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

APTGV15H120T3G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that APTGV15H120T3G is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGV15H120T3G.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Microsemi Corporation

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# APTGV15H120T3G-ND

Microsemi Corporation

IGBT MODULE 1200V 25A 115W SP3

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

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