Name: APTGT35SK120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT35SK120D1G
Availability: InStock
Rating: 5 (93 reviews)

APTGT35SK120D1G

Apenas para referência

Nº de peças	APTGT35SK120D1G
Fabricante	Microsemi Corporation
Descrição	IGBT 1200V 55A 205W D1
Ficha técnica	APTGT35SK120D1G Ficha técnica
pacote	D1
ECAD
Em estoque	2.656 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	A ser confirmado
Tempo de entrega estimado	fev 20 - fev 25 (Escolha o envio acelerado)
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Especificações do APTGT35SK120D1G

Fabricante	Microsemi Corporation
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - IGBT - Módulos
pacote	D1
ECAD
Series	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configuração	Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	55A
Potência - Max	205W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Corrente - corte de coletor (máx.)	5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / caso	D1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D1

APTGT35SK120D1G folha de dados

APTGT35SK120D1G Packaging

APTGT35SK120D1G FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGT35SK120D1G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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