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A2T21H410-24SR6

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Apenas para referência

Nº de peças A2T21H410-24SR6
Fabricante NXP
Descrição IC TRANS RF LDMOS
Ficha técnica

A2T21H410-24SR6 Ficha técnica

pacote NI-1230-4LS2L
ECAD
Em estoque 5.904 piece(s)
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Especificações do A2T21H410-24SR6

FabricanteNXP
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - RF
pacoteNI-1230-4LS2L
ECAD
Series-
Tipo de transistorLDMOS (Dual)
Freqüência2.17GHz
Ganho15.6dB
Tensão - Teste28V
Classificação atual-
Figura de ruído-
Atual - teste600mA
Potência72W
Voltagem - Rated65V
Pacote / casoNI-1230-4LS2L
Pacote de Dispositivo do FornecedorNI-1230-4LS2L

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A2T21H410-24SR6 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that A2T21H410-24SR6 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# V36:1790_14213691

NXP Semiconductors

RF POWER LDMOS TRANSISTOR

RoHS: Compliant
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D# A2T21H410-24SR6

NXP Semiconductors

Transistor RF FET N-CH 65V 2110MHz to 2170MHz 6-Pin NI-1230S T/R - Tape and Reel (Alt: A2T21H410-24SR6)

RoHS: Compliant
0
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D# A2T21H410-24SR6

NXP Semiconductors

Transistor RF FET N-CH 65V 2110MHz to 2170MHz 6-Pin NI-1230S T/R (Alt: A2T21H410-24SR6)

0
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NXP Semiconductors

RF POWER TRANSISTOR

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NXP Semiconductors

RF POWER LDMOS TRANSISTOR

RoHS: Compliant
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