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2SK3565(Q,M)

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Apenas para referência

Nº de peças 2SK3565(Q,M)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
Ficha técnica
pacote TO-220-3 Full Pack
ECAD
Em estoque 5.120 piece(s)
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Especificações do 2SK3565(Q,M)

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3 Full Pack
ECAD
Series��-MOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1150pF @ 25V
Vgs (máx.)±30V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 Ohm @ 3A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220SIS
Pacote / casoTO-220-3 Full Pack

2SK3565(Q,M) Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

2SK3565(Q,M) FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: 2SK3565(Q,M))

RoHS: Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 900V 5A TO220SIS

0

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