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2SK1119(F)

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Nº de peças 2SK1119(F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
Ficha técnica

2SK1119(F) Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 4.768 piece(s)
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Especificações do 2SK1119(F)

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
Series-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220AB
Pacote / casoTO-220-3

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Packing
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2SK1119(F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK1119(F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the 2SK1119(F) price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of 2SK1119(F)?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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