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SUP60N06-12P-GE3

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SUP60N06-12P-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SUP60N06-12P-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Ficha técnica

SUP60N06-12P-GE3 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 63.516 piece(s)
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Especificações do SUP60N06-12P-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1970pF @ 30V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)3.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220AB
Pacote / casoTO-220-3

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SUP60N06-12P-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUP60N06-12P-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# 70026457

Vishay Siliconix

Mosfet, Power, 60V, 60A, Power, 100W, R(ds), 0.012ohm, Halogen-Free, TO-220AB

RoHS: Not Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Vishay Semiconductors

- Tape and Reel

0
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D# SUP60N06-12P-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

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