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SUD06N10-225L-GE3

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SUD06N10-225L-GE3

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Nº de peças SUD06N10-225L-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
Ficha técnica

SUD06N10-225L-GE3 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 449.076 piece(s)
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Especificações do SUD06N10-225L-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C6.5A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds240pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs200 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-252AA
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SUD06N10-225L-GE3 folha de dados

SUD06N10-225L-GE3 Packaging

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Packing
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MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA

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555
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18966
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D# 40X8861

Vishay Intertechnologies

MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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