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SI3475DV-T1-E3

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SI3475DV-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI3475DV-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Ficha técnica SI3475DV-T1-E3 Ficha técnica
pacote SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Em estoque 26050 piece(s)
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Especificações do SI3475DV-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
Ficha técnica SI3475DV-T1-E3 Ficha técnica
pacoteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25��C950mA (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 50V
Vgs (máx.)��20V
Dissipação de energia (máx.)2W (Ta), 3.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-TSOP
Pacote / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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