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SI1034X-T1-GE3

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SI1034X-T1-GE3

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Nº de peças SI1034X-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6
Ficha técnica

SI1034X-T1-GE3 Ficha técnica
pacote SOT-563, SOT-666
ECAD
Em estoque 950.556 piece(s)
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Especificações do SI1034X-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacoteSOT-563, SOT-666
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max250mW
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoSOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do FornecedorSC-89-6

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SI1034X-T1-GE3 Packaging

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Packing
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D# V72:2272_07431893

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Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R

RoHS: Compliant
 0
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D# SI1034X-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 180mA 6-Pin SOT-563F T/R - Tape and Reel (Alt: SI1034X-T1-GE3)

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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 180mA 6-Pin SOT-563F T/R (Alt: SI1034X-T1-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SOT-563F T/R

 6000
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SI1034XT1GE3

 Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
 0
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D# SI1034X-T1-GE3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6

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pbFree: Yes
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 6000
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D# 781-SI1034X-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V

RoHS: Compliant
 10723
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SI1034X-T1-GE3

D# 16P3683

 Vishay Intertechnologies

N CHANNEL, MOSFET, 20V, 200mA, SC-89, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:200mA, On Resistance Rds(on):10ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
 0

SI1034X-T1-GE3.

D# 16AC0249

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:200mA, On Resistance Rds(on):10ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:5V, Threshold Voltage Vgs:1.2V, Product Range:- RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
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D# NS-SI1034X-T1-GE3

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180 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

 15
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OEM/CM ONLY

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MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V

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