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NP88N03KDG-E1-AY

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NP88N03KDG-E1-AY

Apenas para referência

Nº de peças NP88N03KDG-E1-AY
Fabricante Renesas Electronics America
Descrição MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
Ficha técnica

NP88N03KDG-E1-AY Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 6.912 piece(s)
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Especificações do NP88N03KDG-E1-AY

FabricanteRenesas Electronics America
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Series-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C88A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds13500pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 mOhm @ 44A, 10V
Temperatura de operação175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-263
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP88N03KDG-E1-AY folha de dados

NP88N03KDG-E1-AY Packaging

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Packing
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Renesas Electronics Corporation

TRANS MOSFET N-CH 30V 88A 3PIN TO-263 - Bulk

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D# NP88N03KDG-E1-AYTR-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 30V 88A TO263

0
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Renesas Electronics Corporation

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