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NP40N10PDF-E1-AY

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NP40N10PDF-E1-AY

Apenas para referência

Nº de peças NP40N10PDF-E1-AY
Fabricante Renesas Electronics America
Descrição MOSFET N-CH 100V 40A TO-263
Ficha técnica

NP40N10PDF-E1-AY Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Especificações do NP40N10PDF-E1-AY

FabricanteRenesas Electronics America
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Series-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C40A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs71nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds3150pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.8W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de operação175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-263 (D2Pak)
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP40N10PDF-E1-AY folha de dados

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that NP40N10PDF-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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